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La primera aplicación de la fuente de luz LED hecha por el principio de la luz de unión PN de semiconductores se introdujo a principios de la década de 1960. El material utilizado en ese momento era GaAsP, que emitía luz roja (λp = 650 nm). Cuando la corriente de conducción era de 20 mA, el flujo luminoso era de solo unas pocas milésimas de lumen, y la eficiencia luminosa correspondiente era de aproximadamente 0,1 lm / W.
A mediados de la década de 1970, los elementos In y N se introdujeron para producir luz verde (λp = 555 nm), luz amarilla (λp = 590 nm) y luz naranja (λp = 610 nm), y la eficiencia luminosa también aumentó a 1 lm / W.
A principios de la década de 1980, apareció la fuente de luz LED de GaAlAs, haciendo que la eficiencia luminosa del LED rojo alcanzara 10 lúmenes por vatio.
A principios de la década de 1990, el desarrollo de dos nuevos materiales, GaAlInP, que emite luz roja y amarilla, y GaInN, que emite luz verde y azul, han mejorado en gran medida la eficiencia de la luz de los LED. En 2000, el primero fabricaba LED en las regiones roja y naranja (λp = 615 nm) con una eficacia luminosa de 100 lúmenes por vatio, mientras que el último fabricaba LED con una eficacia luminosa de 50 lúmenes en la región verde (λp = 530 nm ) vatio.
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